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日本和泉IDEC光电传感器,产品内容介绍 AVN311N-R

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产品型号:AVN311N-R
 牌:和泉
公司名称:上海乾拓贸易有限公司
  地:上海嘉定
发布时间:2019-11-01
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产品简介

日本和泉IDEC光电传感器,产品内容介绍
当叶轮叶片处于磁铁和霍尔集成电路之间的气隙中时,磁场偏离集成片,霍尔电压消失。
这样,霍尔集成电路的输出电压的变化,就能表示出叶轮驱动轴的某一位置,
日本和泉IDEC光电传感器,产品内容介绍

产品详细信息

日本和泉IDEC光电传感器,产品内容介绍



热电阻测温是基于金属导体的电阻值随温度的增加而增加这一特性来进行温度测量的。
热电阻大都由纯金属材料制成,目前应用*多的是铂和铜
当叶轮叶片处于磁铁和霍尔集成电路之间的气隙中时,磁场偏离集成片,霍尔电压消失。
这样,霍尔集成电路的输出电压的变化,就能表示出叶轮驱动轴的某一位置,
霍尔电压值很小,通常只有几个毫伏,但经集成电路中的放大器放大,
就能使该电压放大到足以输出较强的信号。
它由激光器、激光检测器和测量电路组成。激光传感器是新型测量仪表,
它的优点是能实现无接触远距离测量,速度快,精度高,量程大,抗光、电干扰能力强等。
激光传感器工作时,先由激光发射二极管对准目标发射激光脉冲。经目标反射后激光向各方向散射。
部分散射光返回到传感器接收器,被光学系统接收后成像到雪崩光电二极管上。
雪崩光电二极管是一种内部具有放大功能的光学传感器,因此它能检测极其微弱的光信号,
激光传感器常用于长度(ZLS-Px)、距离(LDM4x)、振动(ZLDS10X)、速度(LDM30x)、方位等物理量的测量,还可用于探伤和大气污染物的监测等。
广泛地应用于工业自动化技术、检测技术及信息处理等方面。
霍尔效应是研究半导体材料性能的基本方法。通过霍尔效应实验测定的霍尔系数,
若使霍尔集成电路起传感作用,需要用机械的方法来改变磁场强度。
利用这一工作原理,可将霍尔集成电路片用作用点火正时传感器。
霍尔效应传感器属于被动型传感器,它要有外加电源才能工作,这一特点使它能检测转速低的运转情况。
温度在温度检测精度要求比较高的场合,这种传感器比较适用。较为广泛的热电阻材料为铂、铜、镍等,
它们具有电阻温度系数大、线性好、性能稳定、使用温度范围宽、加工容易等特点。用于测量-200℃~+500℃范围内的温度。
热电阻传感器分类:
1、NTC热电阻传感器:
该类传感器为负温度系数传感器,即传感器阻值随温度的升高而减小。
2、PTC热电阻传感器:
并将其转化为相应的电信号。
利用激光的高方向性、高单色性和高亮度等特点可实现无接触远距离测量。
该类传感器为正温度系数传感器,即传感器阻值随温度的升高而增大。
下图所示的方法是用一个转动的叶轮作为控制磁通量的开关,
此外,已开始采用镍、锰和铑等材料制造热电阻。
热电阻传感器主要是利用电阻值随温度变化而变化这一特性来测量温度及与温度有关的参数。
能够判断半导体材料的导电类型、载流子浓度及载流子迁移率等重要参数。
霍尔传感器分为线性型霍尔传感器和开关型霍尔传感器两种。
1、线性型霍尔传感器由霍尔元件、线性放大器和射极跟随器组成,它输出模拟量。
2、开关型霍尔传感器由稳压器、霍尔元件、差分放大器,斯密特触发器和输出级组成,
它输出数字量。
霍尔电压随磁场强度的变化而变化,磁场越强,电压越高,磁场越弱,电压越低。

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